반도체 공정의 이해 #3-2

3.3 습식 식각과 건식 식각 비교

 

반도체 산업에서의 습식 식각과 건식 식각은 반도체 장치의 제조 공정에서 사용되는 두 가지 주요 식각 방법을 이야기함.

 

1. 습식 식각
   • 기본 원리: 습식 식각은 화학적 용액을 사용하여 반도체 기판의 특정 영역을 제거하는 방법입니다. 이 용액은 특정 재료에 대해 선택적으로 반응하여 그 부분을 제거한다.
   • 장점
     • 높은 선택성: 적절한 화학 용액을 선택함으로써 특정 물질만을 제거할 수 있다.
     • 높은 정밀도: 원하는 패턴을 높은 정밀도로 형성할 수 있다.
   • 단점:
     • 용액 처리 및 처리 공정이 필요하다.
     • 처리 공정에 대한 안전 문제가 있을 수 있다.
     • 화학 폐기물 처리 문제가 발생할 수 있다.
2. 건식 식각
   • 기본 원리: 건식 식각은 반도체 표면에 특정 가스를 사용하여 특정 영역을 제거하는 방법이다. 이러한 과정은 일반적으로 플라즈마 반응을 이용하여 이루어진다.
   • 장점:
     • 더 빠른 속도: 화학적 반응보다 빠른 공정이 가능하다.
     • 화학 처리 과정이 필요하지 않으므로 재료 처리에 대한 안전 문제가 줄어든다.
   • 단점:
     • 선택성이 낮을 수 있다.
     • 공정의 복잡성과 설비 비용이 높을 수 있다.